Главная » Электронные компоненты » Активные компоненты » Транзисторы, транзисторные сборки и модули » IGBT силовые модули » SEMIX653GB176HDS

IGBT силовые модули SEMIX653GB176HDS SMK

МИНИМАЛЬНАЯ СУММАЯ ЗАКАЗА - 500 ГРН.

Ценовой диапазон
1+
5297,46грн.
2+
5297,46грн.
4+
5297,46грн.
Количество:
7-10 дней
В наличии

IGBT MODULE, 2X1700V Transistor Type IGBT Module Transistor Polarity N Channel Voltage, Vces 1700V Current Ic Continuous a Max 650A Voltage, Vce Sat Max 2.45V Case Style SEMiX 3s Termination Type Screw Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 1.2V Current Ic av 650A Current, Icm Pulsed 900A Current, Ifs Max 2900A Time, Rise 90ns Voltage, Vrrm 1700V

Запрос по товару
Skype

Производители

RES 75R 0.25W 5%
0,04грн.
RES 20R 0.25W 5%
0,04грн.
RES 43K 0.25W 5%
0,05грн.
RES 1206 10M 5%
0,08грн.
RES 0805 3K3 5%
0,09грн.
RES 5K1 0.25W 5%
0,11грн.
RES 110K 0.25W
0,15грн.
CAY10-220J4LF
0,20грн.
1N4005 T/B
0,21грн.
RES 470R 1W MF-100 5%
0,22грн.