Главная » Электронные компоненты » Активные компоненты » Транзисторы, транзисторные сборки и модули » IGBT силовые модули » SEMIX653GB176HDS

IGBT силовые модули SEMIX653GB176HDS SMK

МИНИМАЛЬНАЯ СУММАЯ ЗАКАЗА - 500 ГРН.

Ценовой диапазон
1+
5297,46грн.
2+
5297,46грн.
4+
5297,46грн.
Количество:
7-10 дней
В наличии

IGBT MODULE, 2X1700V Transistor Type IGBT Module Transistor Polarity N Channel Voltage, Vces 1700V Current Ic Continuous a Max 650A Voltage, Vce Sat Max 2.45V Case Style SEMiX 3s Termination Type Screw Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 1.2V Current Ic av 650A Current, Icm Pulsed 900A Current, Ifs Max 2900A Time, Rise 90ns Voltage, Vrrm 1700V

Запрос по товару
Skype

Производители

RES 110K 0.25W
0,15грн.
RES 20R 0.25W 5%
0,04грн.
RES 43K 0.25W 5%
0,05грн.
RES 470R 1W MF-100 5%
0,22грн.
RES 5K1 0.25W 5%
0,11грн.
RES 75R 0.25W 5%
0,04грн.
CAY10-220J4LF
0,20грн.
MF-MSMF050-2
3,56грн.
MF-R185
8,37грн.
MF-USMF020-2
3,11грн.