Главная » Электронные компоненты » Активные компоненты » Транзисторы, транзисторные сборки и модули » Транзисторы IGBT » Транзистор IGBT » IRG4PF50WPBF

Транзистор IGBT IRG4PF50WPBF INFIN

МИНИМАЛЬНАЯ СУММАЯ ЗАКАЗА - 500 ГРН.

Ценовой диапазон
1+
162,30грн.
11+
142,11грн.
25+
127,90грн.
50+
118,42грн.
125+
112,50грн.
Количество:
7-10 дней
В наличии

IGBT, 900V, 51A, TO-247AC Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Channel Voltage, Vces 900V Current Ic Continuous a Max 51A Voltage, Vce Sat Max 2.7V Power Dissipation 200W Case Style TO-247AC Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 900V Current, Icm Pulsed 204A Device Marking IRG4PF50WPBF No. of Pins 3 Power, Pd 200W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Fall 220ns Time, Fall Max 220ns Time, Rise 26ns Transistor s, No. of 1

Запрос по товару
Skype

Производители

RES 75R 0.25W 5%
0,04грн.
RES 20R 0.25W 5%
0,04грн.
RES 43K 0.25W 5%
0,05грн.
RES 1206 10M 5%
0,08грн.
RES 0805 3K3 5%
0,09грн.
RES 5K1 0.25W 5%
0,11грн.
RES 110K 0.25W
0,15грн.
CAY10-220J4LF
0,20грн.
1N4005 T/B
0,21грн.
RES 470R 1W MF-100 5%
0,22грн.