Транзистор полевой IPT60R125G7XTMA1 INFIN

Высоковольтные MOSFET в SMD-корпусе – реальность! Упаковав в новой линейке C7 Gold передовую технологию производства MOSFET-транзисторов Superjunction в SMD-корпус нового поколения TOLL с выступающими по одной стороне выводами, компания Infineon задает новые стандарты производства высоковольтных MOSFET для современных силовых приложений, в которых необходимы ключи с жесткой коммутацией. Технология Superjunction продолжила свое развитие, что воплотилось в следующем поколении силовых высоковольтных полевых транзисторов CoolMOS™C7. Новое поколение позволило достичь уровня удельного сопротивления порядка 1 Ом•мм2. А потери выключения приборов С7 снизились более чем на 50% по сравнению с предыдущим поколением CP. Но компания Infineon не стала останавливаться на достигнутом: в конце 2016 года в массовое производство вышло новое поколение C7 Gold (G7). Потери выключения транзисторов поколения G7 снижены на 25% по сравнению с поколением C7. При этом по технологическим показателям FoM, определяемым соответствующими соотношениями Rds(on) Eoss и Rds(on) Qgate, поколение G7 становится лучшим в своем классе. Транзисторы семейств C7 и G7 позволяют комплексно увеличить удельные характеристики преобразователя за счет снижения потерь на силовых ключах и уменьшения требований к системе охлаждения. Таким образом достигается эффект, сходный с получаемым при использовании GaN-транзисторов. Новые семейства предназначены, в первую очередь, для преобразователей, работающих в режиме жесткого переключения, например, корректоров коэффициента мощности.